ОписПодробиці та характеристикиПрикріплені файли
Компактний GaN-модуль перешкодМодуль РЕБ на нітрид-галієвих транзисторах для систем РЕБ. Забезпечує максимальну щільність завад при низькому енергоспоживанні та малих габаритах. Стійкий до перегріву та адаптований для роботи у широкому спектрі частот.
Вихідна потужність: 50 ВтРоз’єм RF: SMA-femaleЖивлення: 24-28в DCСпоживання струму: 4.5-5.5А при 28в
Доступні діапазони:
Вихідна потужність: 50 ВтРоз’єм RF: SMA-femaleЖивлення: 24-28в DCСпоживання струму: 4.5-5.5А при 28в
Доступні діапазони:
- 120–200 МГц
- 200–300 МГц
- 700–800 МГц (з циркулятором)
- 800–900 МГц
- 900–1000 МГц (з циркулятором)
- 1000–1100 МГц (з циркулятором)
- 5.1–5.4 ГГц
- 5.6–5.8 ГГц